专利名称：半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方
法
专利类型：发明专利
发明人：仓又朗人,渡边信也,佐佐木公平,八木邦明,八田直记,
东胁正高,小西敬太
申请号：CN201880046032.1申请日：20180709公开号：CN110869543A公开日：20200306
摘要：提供一种半导体基板(1)，其是由单晶GaO系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶GaO系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶GaO系基板(10)的断裂韧性值。
申请人：株式会社田村制作所,株式会社希克斯,国立研究开发法人情报通信研究机构
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市隆安律师事务所
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