sbit DQ=P1^4; //接18B20的数据口 #define uchar unsigned char #define uint unsigned int
uint temp; //温度值 variable of temperature
/*****************DS18B20******************/
void Init_Ds18b20(void) //DS18B20初始化send reset and initialization command { DQ = 0; //单片机拉低总线 delay10us(60); //精确延时,维持至少480us DQ = 1; //释放总线,即拉高了总线 delay10us(20); //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。 }
uchar Read_One_Byte() //读取一个字节的数据read a byte date
//读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出 { uchar i = 0; uchar dat = 0; for(i=8;i>0;i--) { DQ = 0; //将总线拉低,要在1us之后释放总线 //单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。 _nop_(); //至少维持了1us,表示读时序开始 dat >>= 1; //让从总线上读到的位数据,依次从高位移动到低位。 DQ = 1; //释放总线,此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上 delay10us(2); //延时7us,此处参照推荐的读时序图,尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分 if(DQ) //控制器进行采样 { dat |= 0x80; //若总线为1,即DQ为1,那就把dat的最高位置1;若为0,则不进行处理,保持为0 } delay10us(4); //此延时不能少,确保读时序的长度60us。
} return (dat); }
void Write_One_Byte(uchar dat) { uchar i = 0; for(i=8;i>0;i--) { DQ = 0; _nop_(); 时序)开始 DQ = dat&0x01; 后的15us内, delay10us(6); DQ = 1; dat >>= 1; } }
uint Get_Tmp() { float tt; uchar a,b; Init_Ds18b20(); Write_One_Byte(0xcc); Write_One_Byte(0x44); Init_Ds18b20(); Write_One_Byte(0xcc); Write_One_Byte(0xbe); a = Read_One_Byte(); b = Read_One_Byte(); temp = b; temp <<= 8; temp = temp|a; tt = temp*0.0625; temp = tt*10+0.5; 示数字 //拉低总线 //至少维持了1us,表示写时序(包括写0时序或写1 //从字节的最低位开始传输 //指令dat的最低位赋予给总线,必须在拉低总线 //因为15us后DS18B20会对总线采样。 //必须让写时序持续至少60us //写完后,必须释放总线, //获取温度get the temperature //初始化 //忽略ROM指令 //温度转换指令 //初始化 //忽略ROM指令 //读暂存器指令 //读取到的第一个字节为温度LSB //读取到的第一个字节为温度MSB //先把高八位有效数据赋于temp //把以上8位数据从temp低八位移到高八位 //位或,两字节合成一个整型变量 //得到真实十进制温度值 //因为DS18B20可以精确到0.0625度 //所以读回数据的最低位代表的是0.0625度 //放大十倍 //这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显 //同时进行一个四舍五入操作。
return temp; }
Void main() {
Uchar tempeture; While(1) { Temperature= Get_Tmp() ;} }
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